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武汉新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash产品系列

2019-12-18 10:00 消息来源:武汉新芯集成电路制造有限公司

武汉2019年12月18日 /美通社/ -- 2019年12月18日,紫光集团旗下武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称“武汉新芯”),一家领先的非易失性存储供应商,宣布推出业界先进的50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC。该系列支持低功耗宽电压工作,为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。

XM25QWxxC系列产品的读速在1.65V至3.6V电压范围内可达108MHz(在所有单/双/四通道和QPI模式下均支持),提供比其他供应商更快更强的性能,在电源电压下降后,时钟速度没有任何减慢。其传输速率可以胜过8位和16位并行闪存。在连续读取模式下能实现高效的存储器访问,仅需8个时钟的指令周期即可读取24位地址,从而实现真正的XIP(execute in place)操作。

XM25QWxxC系列支持SOP8和USON8封装,协助客户开发小尺寸的产品。

“XM25QWxxC系列产品采用业界先进的50nm Floating Gate工艺,可使便携式设备的电池寿命延长1.5倍以上。此外,客户可以通过宽电压功能实现更好的库存管理。”武汉新芯运营中心副总裁孙鹏先生表示,“该系列产品的发布是武汉新芯自主品牌战略的关键里程碑,未来公司也将针对持续发展的IoT市场不断开发出创新产品,以此扩展高性能存储产品组合。”